| 型号： | UNR411100A | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products | 描述： | TRANS PNP W/RES 35HFE NS-B1 |
详细参数 |
数值 |
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| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| UNR411100A PDF |  |
| 产品目录绘图 | NS-B1 Type Side NS-B1 Type Front |
| 标准包装 | 5,000 |
| 系列 | - |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 100mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 50V |
| 电阻器 - 基极 (R1)（欧） | 10k |
| 电阻器 - 发射极 (R2)（欧） | 10k |
| 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 35 @ 5mA，10V |
| Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 250mV @ 300µA，10mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 500nA |
| 频率 - 转换 | 80MHz |
| 功率 - 最大 | 300mW |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | NS-B1 |
| 供应商设备封装 | NS-B1 |
| 包装 | 带盒（TB） |
| 其它名称 | UNR411100ATB |